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关于MOSFET的寄生容量和温度特性
MOSFET的静电容量
功率MOSFET在构造上，如图1存在寄生容量 MOSFET的G (栅极) 端子和其他的电极间由氧化膜绝缘，DS (漏极、源极) 间形成PN接合，成为内置二极管构造。Cgs, Cgd容量根据氧化膜的静电容量、Cds根据内置二极管的接合容量决定。
一般而言MOSFET规格书上记载的是表1中的Ciss/Coss/Crss三类。
| 记号 | 算式 | 含义 |
| Ciss | Cgs+Cgd | 输入容量 |
| Coss | Cds+Cgd | 输出容量 |
| Crss | Cgd | 反馈容量 |
容量特性如图2所示，对DS (漏极、源极) 间电压VDS存在依赖性。VDS大则容量值小。
温度特性
实测例见图(1) ~ (3)所示
关于容量特性的温度依存性几乎没有差异。
关于MOSFET的开关及其温度特性
关于MOSFET的开关时间
栅极电压ON/OFF之后，MOSFET才ON/OFF。这个延迟时间为开关时间。开关时间如表1所示种类，一般而言，规格书上记载td(on)/ tr/ td(off)/ tf。
ROHM根据图2电路的测定值决定规格书的typ.值。
| 记号 | 内容 |
| td(on) | 开启延迟时间 (VGS 10%→VDS 90%) |
| tr | 上升时间 (VDS 90%→VDS 10%) |
| td(off) | 关闭延迟时间 (VGS 90%→VDS 10%) |
| tf | 下降时间 (VDS 10%→VDS 90%) |
| ton | 开启时间 (td(on) + tr) |
| toff | 关闭时间 (td(off) + tf) |
温度特性
实测例如图3(1)~(4)所示。
温度上升的同时开关时间略微增加，但是100°C上升时增加10%成左右，几乎没有开关特性的温度依存性。
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