MOSFET 作为开关的示例

2022/04/18 分类:MOS管行业新闻 544 0

在下面的电路布置中，增强模式和 N 沟道 MOSFET 用于在开启和关闭条件下切换样品灯。栅极端的正电压施加到晶体管的基极，灯进入开启状态，此时 V _GS =+v 或在零电压电平时，器件进入关闭状态，其中 V _GS = 0。

如果灯的电阻负载被电感负载代替并连接到受负载保护的继电器或二极管。在上述电路中，它是一个非常简单的电路，用于切换灯或 LED 等电阻负载。但是当使用 MOSFET 作为具有感性负载或容性负载的开关时，需要对 MOSFET 器件进行保护。

如果在 MOSFET 没有受到保护的情况下，可能会导致器件损坏。为了使 MOSFET 作为模拟开关器件工作，它需要在其 V _{GS =0 的截止区域和 V}_GS =+v 的饱和区域之间切换。

MOSFET也可以起到晶体管的作用，简称为Metal Oxide Silicon Field Effect Transistor。在这里，名称本身表明该设备可以用作晶体管。它将具有 P 通道和 N 通道。该器件使用四个源极、栅极和漏极端子以这种方式连接，一个 24Ω 的电阻负载与一个电流表串联，一个电压表连接在 MOSFET 两端。

在晶体管中，栅极中的电流为正方向，源极端接地。而在双极结型晶体管器件中，电流流过基极到发射极的路径。但是在这个器件中，没有电流流动，因为在栅极的开头有一个电容器，它只需要电压。

这可以通过继续模拟过程和打开/关闭来实现。当开关打开时，电路中没有电流流过，当连接 24Ω 电阻和 0.29 电流表电压时，我们发现源极上的压降可以忽略不计，因为该器件上有 +0.21V。

漏极和源极之间的电阻称为RDS。由于此 RDS，当电路中有电流流动时会出现电压降。RDS 因设备类型而异（根据电压类型，它可以在 0.001、0.005 和 0.05 之间变化。

要学习的几个概念是：

1）。如何选择 MOSFET 作为开关？

选择 MOSFET 作为开关时，需要注意以下几个条件：