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李在镕获赦后首箭 三星砸4,800亿研发技术 李在镕获赦后首箭 三星砸4,800亿研发技术

李在镕获赦后首箭 三星砸4,800亿研发技术

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李在镕获赦后首箭 三星砸4,800亿研发技术-东莞鑫江电子有限公司
韩国三星电子副会长李在镕今天出席获特赦恢复公民权后的第一场正式活动,宣布将在2028年前对半导体尖端技术园区投资20兆韩元(约新台币4,800亿元),目标以次世代技术开发克服当前经济难关。
韩联社报导,李在镕上午出席在京畿道龙仁市三星电子器兴(Giheung yeok)园区举行的次世代半导体研发园区动工仪式,包括预计在2025年中完工启用的半导体研发专用产线,三星电子规划至2028年为止,将在这座半导体技术研发园区投入20兆韩元规模资金。
李在镕致词表示,半导体产业不只本身市场规模大,对其他产业也会带来相当高的附加价值。40年前三星电子为建设半导体工厂,首次在器兴动工,「若没有这些对次世代、甚至次次世代产品果断的研发投资,就不会有今天的三星半导体」。
李在镕表示将延续三星电子重视技术、领先投资的传统,「让我们一起用尚未面世的技术创造未来」。
朝鲜日报报导指出,李在镕近期不断强调技术的重要性,尤其国际半导体产业竞争激烈,台积电不断领先发展技术,中国业者也紧追在后,让三星的技术研发需求更迫在眉睫。
李在镕6月访欧结束返韩时也曾强调发展技术的重要性,「(我们要做的)第一是技术、第二是技术、第三也是技术」。
今天动工的研发园区占地约10.9万平方公尺,三星电子预计在此研发包括记忆体、无厂(fabless)系统半导体、晶圆代工等半导体相关核心技术。
这次是李在镕15日获光复节特赦、恢复公民权后的第一场正式活动,重点聚焦于外界最为关注的半导体产业。李在镕12日得知将获特赦消息时表示,会为国家经济竭尽全力。
李在镕于动工仪式结束后前往华城园区与半导体相关员工会谈,直接听取建议,并在半导体研究所主持会议,讨论半导体产业当前主要面临困境与风险、次世代半导体技术研发进展,以及为大幅领先其他竞争者的技术能力确保方案等。
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