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MOSFET 作为开关的示例 MOSFET 作为开关的示例

MOSFET 作为开关的示例

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MOSFET 作为开关的示例-东莞鑫江电子有限公司

在下面的电路布置中,增强模式和 N 沟道 MOSFET 用于在开启和关闭条件下切换样品灯。栅极端的正电压施加到晶体管的基极,灯进入开启状态,此时 V GS =+v 或在零电压电平时,器件进入关闭状态,其中 V GS = 0。   

MOSFET 作为开关的示例-东莞鑫江电子有限公司
MOSFET 作为开关

如果灯的电阻负载被电感负载代替并连接到受负载保护的继电器或二极管。在上述电路中,它是一个非常简单的电路,用于切换灯或 LED 等电阻负载。但是当使用 MOSFET 作为具有感性负载或容性负载的开关时,需要对 MOSFET 器件进行保护。

如果在 MOSFET 没有受到保护的情况下,可能会导致器件损坏。为了使 MOSFET 作为模拟开关器件工作,它需要在其 V GS =0 的截止区域和 V GS =+v 的饱和区域之间切换。

MOSFET也可以起到晶体管的作用,简称为Metal Oxide Silicon Field Effect Transistor。在这里,名称本身表明该设备可以用作晶体管。它将具有 P 通道和 N 通道。该器件使用四个源极、栅极和漏极端子以这种方式连接,一个 24Ω 的电阻负载与一个电流表串联,一个电压表连接在 MOSFET 两端。

在晶体管中,栅极中的电流为正方向,源极端接地。而在双极结型晶体管器件中,电流流过基极到发射极的路径。但是在这个器件中,没有电流流动,因为在栅极的开头有一个电容器,它只需要电压。

这可以通过继续模拟过程和打开/关闭来实现。当开关打开时,电路中没有电流流过,当连接 24Ω 电阻和 0.29 电流表电压时,我们发现源极上的压降可以忽略不计,因为该器件上有 +0.21V。

漏极和源极之间的电阻称为RDS。由于此 RDS,当电路中有电流流动时会出现电压降。RDS 因设备类型而异(根据电压类型,它可以在 0.001、0.005 和 0.05 之间变化。

要学习的几个概念是:

1)。如何选择 MOSFET 作为开关

选择 MOSFET 作为开关时,需要注意以下几个条件:

  • 使用极性 P 或 N 通道
  • 最大额定工作电压和电流值
  • Rds ON 增加,这意味着当通道完全打开时,漏极到源极的电阻
  • 提高工作频率
  • 包装种类有 To-220 和 DPAck 等。

2)。什么是 MOSFET 开关效率?

将 MOSFET 用作开关器件时的主要限制是器件能够提供的增强的漏极电流值。这意味着导通条件下的 RDS 是决定 MOSFET 开关能力的关键参数。它表示为漏源电压与漏电流之比。它必须仅在晶体管的导通状态下计算。

3)。为什么 MOSFET 开关用于升压转换器?

通常,升压转换器需要一个开关晶体管来运行设备。因此,使用开关晶体管 MOSFET。这些设备用于了解电流值和电压值。此外,考虑到开关速度和成本,这些被广泛采用。

同样,MOSFET也可以有多种用途。那些是

  • MOSFET作为LED的开关
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  • MOSFET 作为 Arduino 的开关
  • 用于交流负载的 MOSFET 开关
  • 直流电机用 MOSFET 开关
  • 负电压 MOSFET 开关
  • MOSFET 作为 Arduino 的开关
  • MOSFET 作为带有微控制器的开关
  • 具有迟滞的 MOSFET 开关
  • MOSFET 作为开关二极管和有源电阻
  • MOSFET 作为开关方程
  • 气枪用 MOSFET 开关
  • MOSFET 作为开关栅极电阻
  • MOSFET 作为开关螺线管
  • 使用光耦合器的 MOSFET 开关
  • 具有迟滞的 MOSFET 开关
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